Технология защиты

В данной работе продемонстрирован новый тип защитных меток, основанный на фотолюминесценции ионов эрбия, встроенных в матрицу кремния. Базовым принципом создания защитных меток является поточечное облучение двухслойной пленки Si – Er сфокусированным фемтосекундным лазерным излучением. 

Данный метод позволяет локально встраивать ионы эрбия в кремниевую матрицу. Исследование воздействия лазерного излучения показывает на двухслойную пленку Si – Er демонстрирует создание оптически активных центров эрбия в кремнии, обеспечивая стабильную фотолюминесценцию на длине волны 1530 нм при комнатных условиях. Представленный метод применим для создания двух типов защитных меток, как вспомогательных элементов для предотвращения создания подделок. Первый тип реализуется путем одноэтапной поточечной записи люминесцентных областей с помощью сфокусированного лазерного пучка. Результат записи является массив отверстий и в общем виде формирует заранее заготовленный рисунок, который можно наблюдать в прямом оптическом микроскопе. Второй тип с повышенной степенью защиты реализуется путем добавления этапов изготовления: химическое травление остаточного эрбиевого слоя и лазерная запись дополнительных нелюминесцентных отверстий поверх первоначально записанного рисунка. Облучение полученной защитной метки на длине волны 525 нм позволяет проявить скрытый рисунок в метке, формирующийся за счет свечения определенных отверстий на длине волны 1530 нм. Предлагаемые защитные метки легко масштабируемы и перспективны для маркировки товаров, ценных бумаг и предметов роскоши.